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DMT6005LPS-13  与  BSC042NE7NS3 G  区别

型号 DMT6005LPS-13 BSC042NE7NS3 G
唯样编号 A36-DMT6005LPS-13 A-BSC042NE7NS3 G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.7mΩ
上升时间 - 17ns
Qg-栅极电荷 - 69nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2962 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 44S
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 47.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 17.9A(Ta),100A(Tc) 100A
配置 - Single
长度 - 5.9mm
下降时间 - 9ns
高度 - 1.27mm
漏源极电压Vds 60V 75V
Pd-功率耗散(Max) 2.6W(Ta),125W(Tc) 125W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 4.9mΩ@50A,10V -
典型关闭延迟时间 - 34ns
FET类型 N-Channel -
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
驱动电压 4.5V,10V -
典型接通延迟时间 - 14ns
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.365
100+ :  ¥1.815
1,250+ :  ¥1.584
2,500+ :  ¥1.507
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6005LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.6W(Ta),125W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 60V 17.9A(Ta),100A(Tc)

¥2.365 

阶梯数 价格
30: ¥2.365
100: ¥1.815
1,250: ¥1.584
2,500: ¥1.507
2,500 当前型号
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC042NE7NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC042NE7NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC042NE7NS3GATMA1_75V 100A 3.7mΩ 20V 125W -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IRFH7545 Infineon  数据手册 功率MOSFET

5.2mΩ 60V PQFN 5 x 6 E N-Channel 20V 85A

暂无价格 0 对比

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